工作职责：
1. 射频功率放大器（RF PA）、射频开关（RF Switch）等射频前端集成电路设计；
2. 原理图仿真，版图设计，电磁场仿真；
3. 实验室测试及调试；
4. 撰写产品手册，应用文档等。

任职要求：
1. 具有射频大信号集成电路研发经验，熟悉半导体（Si,GaAs,GeSi等）工艺制程；
2. 熟悉相关知识背景：微波射频/电磁场、模拟电路、信号与系统、通信系统；
3. 熟练应用常用设计软件（ADS，Cadence）及常用测试设备（VNA，SA，Load-pull）；
4. 具备射频实验室动手调试能力，具备射频测试中分析和解决问题的能力；
5. 熟悉射频发射机前端架构，了解各模块指标要求。

优先：
1. CMOS/SiGe/SOI PA设计经验、新结构PA设计经验；
2. 高效率PA、高线性PA、高频PA（>6GHz）设计经验；
3. 关于多模多频段（MMMB）PA的新结构、新想法；
4. RF MEMS、Tunable Impedance Matching、先进封装技术等相关经验;
5. 专利分析及撰写经验。