15万 - 24万 苏州 | 工作经验不限 | 学历不限 | 全职
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发布时间:2020-08-21 发布者：None 投递简历
岗位职责:
工作职责：
1. 设计基于GaAs pHEMT工艺、CMOS SOI工艺的LNA产品；
2. 原理图仿真，版图设计，电磁场仿真；
3. 实验室测试及调试；
4. 撰写产品手册，应用文档等。
任职要求：
1. 熟悉半导体（Si,GaAs,SiGe等）工艺制程；
2. 熟悉相关知识背景：微波射频/电磁场、模拟电路、信号与系统、通信系统；
3. 熟练应用常用设计软件（ADS，Cadence）及常用测试设备（VNA，SA，Load-pull）；
4. 具备射频实验室动手调试能力，具备射频测试中分析和解决问题的能力。
优先：
1. RF LNA量产设计经验；
2. 无源器件（集成平面/立体电感、电容、耦合器、Transformer、Hybrid、功率分配/合成结构等）设计经验；
3. 专利分析及撰写经验。
