蓉矽半导体

0-50人

四川省成都市高新区天府大道中段1366号天府软件园E6-1座9楼

蓉矽半导体

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(功率半导体)器件设计工程师

33万 - 65万 成都 | 工作经验不限 | 硕士及以上 | 全职

职位福利:年终奖金,五险一金,老板nice,年底双薪,股票期权,天天下午茶,技术领先,成长空间大

发布时间:2021-10-29 发布者:李娜娜 投递简历

描述:

岗位职责:

岗位职责:
1、根据公司产品开发流程完成产品开发,如:Si基功率二极管,mosfet,IGBT或SiC MOSFET设计、版图设计并优化工艺流程;
2、与FAE和市场人员一起按照项目计划启动项目产品开发;
3、配合完成芯片测试并分析测试结果形成报告;
4、完成产品可靠性考核并形成报告。

任职要求:
1、硕士及以上学历,微电子、电力电子、集成电路等相关专业并具备有Si基功率二极管,mosfet,IGBT或SiC器件的设计经验;
2、具备半导体物理、半导体器件物理及可靠性相关知识;
3、熟悉Silvaco仿真软件;
4、熟悉L-Edit版图软件。

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