职责描述：
1. 进行GaAs, pHEMT, CMOS或SOI工艺无线通信的射频芯片产品的设计，仿真，版图后仿真；
2. 实验室测试及调试；
3. 与RFFE模组系统集成工程师协同设计

任职要求：
1. 电子工程硕士或博士学位，有相关工作经验包括研究生期间项目；
2. 熟悉半导体（Si,GaAs,SiGe等）工艺制程；在LNA，switch，controller电路设计有多次流片经验。
3. 熟悉相关知识背景：微波射频/电磁场、模拟电路、信号与系统、通信系统；
4. 熟练应用常用设计软件（ADS，Cadence）及常用测试设备（VNA，SA，Load-pull）；
5. 具备射频实验室动手调试能力，具备射频测试中分析和解决问题的能力。