岗位职责：
1. 进行IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体器件及工艺仿真、结构设计、版图绘制和工艺流程制定；
2. 上述器件封装设计、性能测试及失效分析；
3. 定制化产品的开发；
4. 新产品、新技术的跟进和研究。

岗位要求：
1. 微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业，具有扎实的物理基础和半导体器件基础；
2.功率半导体器件相关工作经验2年（含）以上，熟悉MOSFET、IGBT、FRD等功率半导体器件的开发流程；
3. 具有Fab实际经验和上述功率半导体器件的实际开发/生产经验；
4. 熟悉版图设计（Layout Design）和器件仿真（TCAD Simulation）；
5. 具有较强的沟通能力、独立思考能力及团队协作能力；
6. 学习能力较强，具有创新精神。