30万 - 60万 深圳 | 3年以上 | 硕士及以上 | 全职
职位福利:年终奖金,年度旅游,技术领先,成长空间大,通讯津贴,交通补助,技能培训
发布时间:2021-03-22 发布者：henrry Li 投递简历
岗位职责:
负责IGBT，MOS产品设计，负责文献及专利整理及同业基准跳叉，TCAD仿真（包括旗舰结构及工艺流程仿真）
负责生产工艺开发，产品试验规划等
负责晶圆 及产品封装的检测
负责产品性能测试，失效分析
任职要求
拥有微电子/电子工程学硕士或者博士学历；或者拥有功率半导体研发经验
拥有功率半导体器件（如二极管，MOSFET,IGBT等）
拥有TCAD仿真，晶圆加工，元器件封装及测试相关知识
