正胶与负胶

光刻胶（Resist)： 是指一大类具有光敏化学作用的高分子聚合物材料。又称光阻，抗蚀剂等。这里的光可以是UV波段的i-line(365nm), g-line(436nm)DUV,EUV也可以是电子束（E-beam),X-ray,离子束甚至是同步辐射光源等。

正胶：从光敏化学反应解释是，聚合物的长链分子因光照而解链成为短链分子的正型光刻胶（chain secession) 。从图形效果上来说，光照区域被显影掉，其他未被光照的区域光刻胶留下的为正胶（positive photoresist)。

负胶：聚合物的短链分子因光照而交联成长链分子的负胶（cross linking)。 或者说，光刻过程中被光照的区域在显影过程中留下来，为被光照区域的光刻胶被显影液腐蚀的光刻胶称之为负胶（negative photoresist)。

光刻胶通常有4个基本成分组成：

1、树脂型聚合物（resin):是光刻胶膜的主体，它使光刻胶具有抗刻蚀性能。

2、溶剂（solvent):使树脂型聚合物保持液体状态以便于涂覆。

3、光活性物质（photoactive compound,PAC): 控制树脂型聚合物对某一特定不长的感光度；

4、添加剂（additives):用于控制胶的光吸收或者溶解度。

关于电路图形，既可以使用正胶，亦可以使用负胶来实现。但是需要搭配不同的掩膜版即可。

从上图中，我们可以看出相同的图形，我们可以使用正胶加暗场掩膜或者负胶加亮场掩膜来实现。

下面我们简单介绍一下两者的一般性能对比

光刻胶的选择需要考虑众多因素，一般考虑如下：

1、掩膜版制作成本，一般考虑设计的图形，目的是掩膜版的制作成本更小。

2、工艺匹配度，一般来说为得到undercut结构，lift-off 工艺，使用紫外负胶，电子束光刻一般使用正胶

3、光刻胶成本，